公司介紹
產業描述
GaN FET/HB/IC
電話
暫不提供
員工人數
100人
地址
暫不提供
宜普電源轉換公司（EPC）是基於氮化鎵（GaN）功率管理技術的領導供應商，我們不僅僅致力於提高電力效率，更利用氮化鎵技術推動了五年前不可能實現的並顯著提升生活的全新應用。由於多種應用例如從無線電源傳送、全自動汽車以至高速移動通訊、低成本衛星及醫療護理應用都不斷蛻變，因此氮化鎵技術成為勇於革新、持續前進和渴望保持行業領先地位的公司的首選技術。 創建宜普電源轉換公司 宜普電源轉換公司於2007年11月由三位資深工程師共同創建，他們合共擁有六十年與先進功率管理技術相關的經驗。宜普電源轉換公司的首席執行長Alex Lidow是1970年代矽功率MOSFET的共同發明者。他在國際整流器公司曾擔任管理研發及製造職位外，期間更有長達十二年擔任該公司的首席執行長。其後半導體技術的發展進程讓宜普公司的所有創辦人清楚知道矽技術已經達到它的性能極限及其發展步伐已經不可以像從前那樣為業界推動創新、再創高峰。 創建宜普電源轉換公司是基於對氮化鎵技術可以在電源轉換領域替代矽技術的信念， 這是由於氮化鎵技術具備無敵的速度、效率及低成本的優勢。其實氮化鎵技術是一種具備優越的晶體特性的使能技術，它可以實現的性能與矽技術相比較是1000 ：1 的比值。
主要商品 / 服務項目
由於氮化鎵場效應電晶體(eGaN FET)可在更高頻下工作及具備超低的導通電阻（RDS(ON)），因此它可以提高目前採用標準MOSFET產品的應用的性能，並且推動矽基FET技術所不可能實現的應用的出現。 氮化鎵積體電路（eGaN IC）進一步擴大eGaN技術與傳統矽基元件的效率差距。 eGaN IC節省佔板面積、改善效率、提高製造效率及降低系統的成本。如欲瞭解更多關於EPC公司的氮化鎵技術的詳情，請下載「技術摘要」 宜普電源轉換公司推出了全球市場上第一款增強型氮化鎵器件。我們的氮化鎵場效應電晶體允許設計工程師採用任何電源轉換拓撲包括全橋、半橋、降壓轉換器、升壓轉換器、功率因數校正、反激式轉換器、正激式轉換器或LLC轉換器，因此可實現比矽功率MOSFET顯著增強的性能。
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